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MOSFET（）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。 == MOSFETの構造と特徴 == MOSFETは、通常p型のシリコン基板上に作成される。n型MOS(NMOS) の場合、p型のシリコン基板上のゲート領域にシリコンの酸化膜とその上にゲート金属を形成し、ドレイン・ソース領域には高濃度の不純物をイオン注入し、n型（n+型）の半導体にする。 p型MOS（pMOS）の場合は、p型のシリコン基板にイオン注入でn層の領域を作成し、n型の注入領域中のゲート領域にシリコンの酸化膜とその上にゲート金属を形成し、ドレイン・ソース領域には高濃度の不純物を再度イオン注入し、p型（p+型）の半導体にする。 空乏層による疑似交流キャパシターのみを持つバイポーラトランジスタや他の構造FETと比べ、ゲートの下に絶縁層を持つ関係上キャパシターを構造的に抱えているために、原理的には動作速度が遅くなる点や、トランスコンダクタンス（gm）が低い点などが課題であったが、ゲート電流がほとんど流れない事やプロセス工程が比較的単純であるため、一部の高周波用素子を除き、多くのデジタル集積回路やアナログ回路にMOSが使用されている。近年では、ゲート長を小さくし、ゲート絶縁体の厚さを薄くすることや、SOI技術の使用により、動作速度やgmの問題を概ね解消している。シリコン製で数GHzの動作が可能になるとシリコンMOSによる製品領域が拡大し、従来は高速動作用として一般的だったヒ化ガリウム製FETの存在を脅かしている。 シリコンによるMOSFET製の集積回路では、ゲートは金属ではなくポリシリコン（多結晶珪素）によって形成することが長い間一般的であったが、ゲートにはより抵抗値の低い金属を使用したり、リーク電流を減らすためにゲート絶縁体の厚さを厚くできる高誘電率のゲート絶縁膜を用いれば、高速動作が可能で低消費電力の高性能ICが作れるため、米インテル社は高誘電率 (High-κ) 絶縁膜とメタルゲートとを組み合わせた新たなプロセス技術を開発し、2007年秋の45nmのプロセスルールによる製品の製造に採用するようになった〔佐野昌著、『帰路に立つ半導体産業』、日刊工業新聞社、2009年10月15日初版第2刷、ISBN 9784526061998〕。その後、高性能なデジタル半導体を製造する各社も同技術を開発し製造している。 これら、MOSと類似の構造についてはシリコン-酸化膜-シリコンであったり、金属-絶縁膜-シリコンであるが、同様の原理を使っているため、一般にはMOS半導体素子として扱われている。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「MOSFET」の詳細全文を読む 英語版ウィキペディアに対照対訳語「 MOSFET 」があります。 スポンサード リンク
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